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경제경제일반

디지스트 ‘피로 파괴 현상 원인’ 세계 첫 규명

기사전송 2018-01-11, 21:33:34
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이현준 선임연구원 연구팀
고주파수 신호 연산활용 증명
차세대 전자소자 상용화 기대
DGIST
DGIST 지능형소자융합연구실 이현준 선임연구원 연구팀이 산화물 반도체 피로 누적에 의한 소자 파괴 현상의 원인을 세계 최초로 규명했다. DGIST 제공



대구경북과학기술원(이하 DGIST)은 세계 최초로 산화물 반도체가 고속으로 구동할 때 발생하는 피로 파괴 현상의 원인을 밝혀냈다.

산화물 반도체 상용화에 큰 걸림돌로 여겨왔던 피로 파괴 현상의 원인이 밝혀지면서 향후 차세대 전자소자 개발 관련 기술 상용화가 더욱 앞당겨 질 것으로 기대된다.

11일 DGIST에 따르면 지능형소자융합연구실 이현준 선임연구원 연구팀이 산화물 반도체가 고속으로 구동할 때 전자흐름이 차단되는 현상을 발견하고 피로 누적에 의한 소자 파괴 현상(이하 피로 파괴 현상)의 원인을 세계 최초로 규명했다.

산화물 반도체는 높은 전자 이동도와 기존 반도체 양산 공정을 이용할 수 있다는 장점으로 차세대 디스플레이 소자의 핵심 소재로 주목받으며 산업체에서 하지만 전기적 신호에 따른 피로 누적 현상으로 인한 여러 가지 문제점들로 인해 상용화에 어려움을 겪어 왔다. 연구팀은 ‘비대칭적 국소 전자 흐름의 방해 현상’을 산화물 반도체로 제작된 전자소자가 고속으로 동작할 때 발생하는 소자의 피로 누적 현상의 원인으로 파악하고 이를 고주파수 교류신호 인가 실험 및 수치 연산을 활용해 증명했다.


홍하은기자
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