이재용 부회장, 3나노 반도체 개발현장 방문으로 새해 첫 업무 시작
이재용 부회장, 3나노 반도체 개발현장 방문으로 새해 첫 업무 시작
  • 윤삼수
  • 승인 2020.01.02 18:20
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삼성그룹 이재용 부회장은 2일 화성사업장 내에 있는 반도체연구소를 찾아 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 공정기술을 보고 받고 DS부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의했다.

이 부회장이 새해 첫 경영 행보를 반도체 개발 현장에서 시작한 것은 메모리에 이어 시스템 반도체 분야에서도 세계 1위가 되겠다는 비전을 다시 한번 임직원과 공유하며 목표달성 의지를 다진 것이다.

반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 ‘GAA(Gate-All-Around)’를 적용한 3나노 반도체는 최근 공정 개발을 완료한 5나노 제품에 비해 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있으며 소비전력을 50% 감소시키면서 성능(처리속도)은 약 30% 향상시킬 수 있다.

이 부회장은 “과거의 실적이 미래의 성공을 보장해주지 않는다. 역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것이다. 잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자”고 당부했다.

또 “우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자”고 강조했다.

김주오기자 kjo@idaegu.co.kr

 
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