삼성, D램에 업계 첫 EUV 공정 적용
삼성, D램에 업계 첫 EUV 공정 적용
  • 김주오
  • 승인 2020.03.25 21:25
  • 댓글 0
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미세공정 한계 돌파 채비
반도체 초격차 가속페달
삼성전자가 업계 최초로 D램에 EUV 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다.

삼성전자가 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급(1나노, 10억분의 1미터) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만 개 이상을 공급하여 글로벌 고객의 평가를 완료했다.

이로써 삼성전자는 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 ‘EUV 공정’을 전면 적용해 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 갖추고 D램의 새로운 패러다임을 제시했다.

EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 되어 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 ‘4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술’을 개발하고 있으며 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.




윤삼수기자

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