경북대 김대현 교수팀, 세계 최초 신소재 기반 반도체 소자 개발
경북대 김대현 교수팀, 세계 최초 신소재 기반 반도체 소자 개발
  • 남승현
  • 승인 2022.06.20 22:00
이 기사를 공유합니다

국내 기술로 인듐갈륨비소 기반
다중가교채널 트랜지스터 개발
기존 대비 속도 5배 빨라질 듯
국내 반도체 기업에 ‘새 선택지’
김대현 교수
 
경북대 전자공학부 김대현(사진) 교수팀이 차세대 반도체 물질인 고전자이동도 인듐갈륨비소 기반의 다중가교채널 트랜지스터(Multi-Bridge Channel Field-Effect-Transistor) 전자소자를 세계 최초로 개발했다.

기존 실리콘 기반이 아닌 신소재인 인듐갈륨비소 기반의 반도체 소자 개발로, 국내 실리콘 기반 반도체 대기업인 삼성과 SK하이닉스 시스템 반도체의 미래 기술에 새로운 선택지를 제시할 수 있을 것으로 기대된다.

20일 경북대에 따르면 김 교수의 연구 결과는 지난 16일(미국현지시간) 미국 하와이주 호놀룰루에서 열린 ‘VLSI 심포지엄’에서 공개됐다. VLSI 학회는 세계 3대 반도체 학회 중 하나로, 매년 미국과 일본에서 번갈아가며 심포지엄을 개최한다.

다중가교채널 트랜지스터는 핀펫(Fin Field-Effect-Transistor, FinFET)의 뒤를 이을 차세대 트랜지스터 소자 구조로 각광받고 있다.

여러 층의 채널이 수직방향으로 적층된 3차원 형태의 소자로, 트랜지스터의 성능과 효율을 향상시킬 수 있다. 하지만 복잡한 구조를 구현하기 위한 기술적 난이도가 높아 다중가교채널 트랜지스터 관련 연구는 대부분 삼성전자, TSMC, IBM, 인텔과 같은 글로벌 대기업들에 의해 주도되어 왔다.

김대현 교수팀은 반도체 제조 중견기업인 ㈜큐에스아이, 한국나노기술원 연구진과의 공동 연구로 반도체 에피, 공정 및 집적화 등의 모든 과정을 순수 국내 기술로 인듐갈륨비소 기반의 다중가교채널 트랜지스터를 세계 최초 개발했다. 연구팀은 실제 제품에 적용할 경우 기존 실리콘 소자 대비 최소 5배 빠른 속도를 가질 것으로 예상된다고 설명했다.

연구책임자인 김대현 교수는 “이번 연구는 새로운 구조와 신소재를 도입한 다중가교채널 트랜지스터 소자가 실제로 충분히 경쟁력 있는 성능을 가지고 있음을 입증했다”며, “관련된 화합물 반도체 일괄 공정을 100% 국내 순수 기술로 달성했다는 점에서 큰 의미가 있다”고 했다.

한편 이번 연구는 삼성미래기술육성재단과 삼성전자에서 지원하는 ‘삼성미래기술육성사업’의 지원을 받아 진행됐다.

남승현기자 namsh2c@idaegu.co.kr
  • 대구광역시 동구 동부로94(신천 3동 283-8)
  • 대표전화 : 053-424-0004
  • 팩스 : 053-426-6644
  • 제호 : 대구신문
  • 등록번호 : 대구 가 00003호 (일간)
  • 등록일 : 1996-09-06
  • 인터넷신문등록번호: 대구, 아00442
  • 발행·편집인 : 김상섭
  • 청소년보호책임자 : 배수경
  • 대구신문 모든 콘텐츠(영상,기사, 사진)는 저작권법의 보호를 받은바, 무단 전재와 복사, 배포 등을 금합니다.
  • Copyright © 2024 대구신문. All rights reserved. mail to micbae@idaegu.co.kr
ND소프트
많이 본 기사
영상뉴스
SNS에서도 대구신문의
뉴스를 받아보세요
최신기사