RFHIC·KETI와 산학 협약
공동 개발 프로젝트 수행
6G 세계적 기술 확보 노력
공동 개발 프로젝트 수행
6G 세계적 기술 확보 노력
경북대는 최근 본관 중앙회의실에서 RFHIC㈜, 한국전자기술연구원(KETI)과 차세대 와이드밴드갭 반도체 분야 산·학·연 협력 공동 기술 개발과 우수 인력 양성을 위한 공유·협업체계 구축을 주요 골자로 하는 산학협력 업무 협약을 체결했다.
협약 내용은 △차세대 와이드밴드갭 반도체 분야 산학연 공동 개발 프로젝트 수행 △반도체 파운드리 공정 구축사업 산학연 협력 △직무연수 및 연계 취업 협력 등이다.
경북대는 세계최고 속도인 1테라헤르츠급 차세대 반도체 소자 개발 등에 대한 세계적 연구 실적을 보유하고 있으며, 한국전자기술연구원(KETI)는 5G/6G 통신소자 분야에서 독보적인 기술적 우위를 선점하고 있다.
RFHIC는 세계 최초로 GaN 트랜지스터를 출시한 국내 유일의 GaN 부품 생산기업이다.
협약 체결로 3개 기관은 5G의 RF 핵심 반도체 기술력을 유지하고, 향후 8년 뒤 상용화 예정인 6G 이동통신용 반도체 시장의 세계적 기술 우위를 확보하는데 상호공동 노력하기로 했다.
특히 3개 기관이 협력해 대구시에 ‘차세대 와이드밴드갭 반도체 전용팹’ 구축을 추진하기로 뜻을 모으기도 했다.
남승현기자 namsh2c@idaegu.co.kr
협약 내용은 △차세대 와이드밴드갭 반도체 분야 산학연 공동 개발 프로젝트 수행 △반도체 파운드리 공정 구축사업 산학연 협력 △직무연수 및 연계 취업 협력 등이다.
경북대는 세계최고 속도인 1테라헤르츠급 차세대 반도체 소자 개발 등에 대한 세계적 연구 실적을 보유하고 있으며, 한국전자기술연구원(KETI)는 5G/6G 통신소자 분야에서 독보적인 기술적 우위를 선점하고 있다.
RFHIC는 세계 최초로 GaN 트랜지스터를 출시한 국내 유일의 GaN 부품 생산기업이다.
협약 체결로 3개 기관은 5G의 RF 핵심 반도체 기술력을 유지하고, 향후 8년 뒤 상용화 예정인 6G 이동통신용 반도체 시장의 세계적 기술 우위를 확보하는데 상호공동 노력하기로 했다.
특히 3개 기관이 협력해 대구시에 ‘차세대 와이드밴드갭 반도체 전용팹’ 구축을 추진하기로 뜻을 모으기도 했다.
남승현기자 namsh2c@idaegu.co.kr
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